先进穆勒矩阵椭圆偏振光谱仪

ES-Tenso
椭偏仪

光源发射宽谱光束,经光学偏振调制后入射待测样品表面,通过探测系统采集样品反射/透射后的偏振光信号(Psi/Delta参数、4×4全穆勒矩阵),结合高精度光谱采集数据,依托内置光学模型与材料库,通过算法迭代计算,精准输出样品膜厚、折射率n、消光系数k、介电常数ε等核心参数,全过程自动化完成。

ES-Tenso 椭偏仪

核心特性

ES-Tenso集成了先进的偏振调制和穆勒矩阵测量技术,为科研和工业应用提供全面的薄膜表征能力

全穆勒矩阵

4×4全穆勒矩阵测量,捕获完整的偏振信息,可表征各向异性和退偏振样品

多参数输出

同时输出膜厚、折射率n、消光系数k、介电常数ε,实现材料全面表征

全自动化

内置光学模型与材料库,从光谱采集到参数提取全过程自动化完成

迭代算法

先进的迭代拟合算法结合光谱数据,确保亚纳米级高精度参数提取

工作原理

从光源发射到参数输出的完整测量流程

1

光源与偏振调制

光源发射宽谱光束,经光学偏振调制后入射待测样品表面

2

信号采集

探测系统采集样品反射/透射后的偏振光信号(Psi/Delta参数、4×4全穆勒矩阵)

3

算法输出

结合高精度光谱数据、内置光学模型与材料库,通过算法迭代输出厚度、n、k、ε

技术参数

ES-Tenso椭偏仪的详细技术规格

参数项 规格
测量原理 偏振调制椭圆偏振光谱法
光源 宽谱光源,经光学偏振调制
输出参数 膜厚、折射率n、消光系数k、介电常数ε
穆勒矩阵 4×4全穆勒矩阵测量
偏振参数 Psi (Ψ) / Delta (Δ) 参数
探测模式 反射 / 透射
分析方法 算法迭代拟合,内置光学模型与材料库
自动化程度 从光谱采集到参数提取全过程自动化

应用领域

ES-Tenso椭偏仪广泛应用于需要全面薄膜表征的各个领域

半导体研究

表征高k栅极介质、FinFET结构、3D NAND等先进半导体器件,同时获取厚度和光学常数。

先进光学涂层

全面表征AR/HR涂层、滤光片、分光镜等,包括各向异性和多层膜结构。

介电常数研究

测量薄膜材料的介电常数ε,应用于电子学、电容器和储能领域。

生物材料

无损表征生物膜、蛋白质吸附层、细胞培养基质等,提取完整的光学参数。

新能源材料

表征太阳能电池、锂电池、燃料电池等新能源器件中的功能薄膜层。

基础物理研究

研究材料的介电函数、能带结构、等离子体共振等,利用全穆勒矩阵分析。

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